產能設施

已建立了圖形化結構納米材料透明導電薄膜完整的工藝鏈及中試生產、建有千級局部百級的超級凈化車間。正在南通105畝制造基地建設全自動產線,從中小尺寸(<32吋)、中大尺寸(32吋-65吋)到大尺寸(75吋-86吋),2020年初,建立超過百萬平米產能。從光學模擬、pattern設計、模具制備、核心材料、自動化設備產線、TP模組、OC全貼合、整機調試全流程in house。

微納直寫光刻技術

圖形化直寫系統,應用空間光調制(SLM)技術和位相調制(PL M)技術,實現亞微米直寫光刻,可達0.5um解析度和100nm套刻。 在應用中省去了繁瑣的掩膜加工步驟,相比單束直寫具有效率高、技術先進、應用靈活等特點。 100nm-100um精度的直寫取代了部分電子束光刻和傳統紫外光刻, 支持2-98英寸的寫入面積,為專用集成電路、平板顯示、微機電系統、微光學、微流體、傳感器、計算機產生全息圖以及所有其他應用需要進行掩膜和微結構圖形的快速制造的場所,提供了完美解決方案。 在多年的高端微納制造裝備的研發中積累許多核心技術,這些核心技術有力保障了在高端微納制造裝備領域讓我們走在世界的前列。

UV納米壓印技術

納米壓印領域進行了長達10余年的研究與開發,從最初的平壓平納米壓印拼板設備、卷對卷熱壓設備、到目前UV 卷對卷納米壓印設備。 UV R2R納米壓印有兩種模式:第一、卷對卷UV納米壓印模式,主要用于微納光學薄膜、柔性微納米襯底的批量復制制造。 第二,滾壓平納米壓印模式,在平面上步進滾壓,實現納米結構在平面基材上的重復性復制,主要用于大幅面模具制備。 UV納米壓印設備配有精密涂布上膠、精密壓力傳感和溫度傳感控制、UV光強調節系統,可精密控制壓印速度、張力和成型品質,具有很好的基材適應性,適合在塑性基材上直接納米壓印,效率高、成本低、變形量小,同時,建有PET材料表面處理制程。

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